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深圳市重投天科半導體有限公司

三代半行業資訊 | 愛士特、蓋澤半導體、宇環數控

瀏覽: 作者: 來源: 時間:2023-02-23 分類:市場資訊

▍愛仕特與瑞福芯科技簽訂碳化硅合作協議

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近日,深圳愛仕特科技有限公司(以下簡稱“愛仕特”)與安徽瑞福芯科技有限公司(以下簡稱“瑞福芯科技”)簽署戰略合作協議。基于雙方簽署的戰略合作協議,在未來數年內瑞福芯科技生產的SiC MOS模塊將全部采用愛仕特的SiC MOS芯片,愛仕特將為瑞福芯科技批量供應車用功率模塊所需的1200V/17毫歐及1700V/17毫歐的SiC MOS芯片,并協助瑞福芯科技建設模塊工廠,保證其后續的量產需求。目前愛仕特的1200V/800A DCM模塊已交付瑞福芯科技,在西南某新能源車廠定點測試,預計今年開始批量裝車。據悉,福瑞芯科技由上市公司南京商絡投資,一期建立預計年產30萬只的模塊工廠,主要產品為車用SiC MOS功率模塊


▍蓋澤半導體首臺國產SiC外延膜厚測量設備順利交付

目前,華矽蓋澤半導體科技(上海)有限公司(簡稱“蓋澤半導體”)自主研發生產的SiC外延膜厚測量設備GS-M06Y已正式交付客戶。GS-M06Y將應用于半導體前道量測,主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行測量。GS-M06Y設備采用了蓋澤半導體自主研發的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統。公司自主研發的FTIR光路系統,可快速檢測晶圓厚度,實現了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。

據悉,此次出貨的設備與以往不同,此臺設備運用蓋澤半導體最新研發的碳化硅外延檢測技術,可對碳化硅外延精準測量,是繼蓋澤半導體9月硅外延檢測設備出貨后,公司的又一里程碑。蓋澤半導體不僅突破了SiC外延檢測技術,還可實現一代半導體(硅外延6英寸&8英寸&12英寸)、二代半導體(砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸)、三代半導體(碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延)、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸,以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測量。


▍宇環數控:碳化硅設備部分環節已有樣機、現處于技術指標驗證階段

近日,宇環數控在接受機構調研時表示,公司碳化硅設備可參與到碳化硅材料加工的晶錠端面磨削,晶錠外圓磨削、磨參考邊,晶圓片雙面減薄、拋光等工序,部分環節已有樣機、現處于技術指標驗證階段;部分環節的設備仍在研發中。公司碳化硅設備尚未取得客戶訂單,公司技術研發進展和客戶驗證結果均存在較大不確定性。

來源:吳晰 芯TIP

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